Etude de la croissance de couches minces d'oxydes (zno, al 2o 3) et de sulfures (zns, in 2s 3) par la methode de depot chimique en phase vapeur a flux alternes (ale) : etude par microgravimetrie a quartz et application a la realisation des cellules solaires a base de cu(in, ga)se 2

TL;DRAbstract

LE BUT DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES FILMS D'OXYDE DE ZINC (INTRINSEQUE ET DOPE ALUMINIUM (ZNO : AL)) PAR LA METHODE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A FLUX ALTERNES (ALE). CES FILMS VONT SERVIR COMME COUCHES FENETRE POUR LES CELLULES SOLAIRES DE CU(IN, GA)SE 2 (CIGS). LES COUCHES DE ZNO SONT DEPOSEES A BASSE TEMPERATURE (75\\C-300\\C) A PARTIR DE DIETHYLZINC (DEZN) ET L'EAU. LE DOPAGE SE FAIT A L'AIDE DE TRIMETHYLALUMINIUM (TMAI). LA CARACTERISATION DE CES COUCHES (PROPRIETES ELECTRIQUES ET OPTIQUES) A MONTRE QUE CES DERNIERES POSSEDENT LES PROPRIETES REQUISES (BONNE TRANSMISSION OPTIQUE ET FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE) POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. LES MEILLEURES CELLULES (ZNO : AL(ALE)/CDS/CIGS) OBTENUES PRESENTENT UN RENDEMENT DE 15,1%. POUR REMPLACER LA COUCHE DE CDS, D'AUTRES COUCHES TELLES QUE ZNS, ZN(O,S), AL 2O 3 ET IN 2S 3 SONT EGALEMENT DEPOSEES PAR ALE. L'ENSEMBLE DES CARACTERISATIONS NOUS A PERMIS D'EVALUER LEURS PROPRIETES PHYSIQUES ET DE CHOISIR LE MEILLEUR

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