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应用于DSRC系统的5.8GHz CMOS LNA设计

艾学松,孙玲,施佺-2012-01-01-Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
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TL;DRAbstract

基于TSMC 0.18μm CMOSRF工艺，完成了一个全集成共源．共栅低噪声放大器设计。版图后仿真结果表明：1．8V电源电压下，电路静态功耗约为17mW;在DSRC系统工作频段上，电路实现了良好的综合性能指标，输入反射系数（S11）和输出反射系数（SEE）小于-15dB，增益（S21）大于14．OdB，反向隔离度（｜S12｜）达到32dB，噪声系数小于2dB，并且工作稳定。

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基于TSMC 0.18μm CMOSRF工艺，完成了一个全集成共源．共栅低噪声放大器设计。版图后仿真结果表明：1．8V电源电压下，电路静态功耗约为17mW;在DSRC系统工作频段上，电路实现了良好的综合性能指标，输入反射系数（S11）和输出反射系数（SEE）小于-15dB，增益（S21）大于14．OdB，反向隔离度（｜S12｜）达到32dB，噪声系数小于2dB，并且工作稳定。

Keywords

Computer scienceCMOSBusinessTelecommunicationsEngineeringElectronic engineering

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