Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planar

TL;DRAbstract

Neste trabalho apresentamos o projeto, a construcao e a caracterizacao de um transistor de efeito de campo com estrutura MOS {metal-oxido-semicondutor}. Inicialmente e apresentada uma descricao dos diversos tipos de estrutura e dos processos viaveis, no momento, para a fabricacao de TEC MOS. Adotando um modelo eletrico derivado de um modelo fisico dos TEC MOS foram estabelecidos criterios para o dimensionam mento da estrutura de um transistor: a determinacao de suas dimensoes e caracteristicas eletricas dos materiais envolvidos. Este modelo, por outro lado, nos permitiu relacionar a estrutura, os seguintes parâmetros eletricos mensuraveis: caracteristicas eletricas intereletrodicas, tensoes de ruptura, tensao de transicao, densidade de cargas na interface silicio-oxido, mobilidade das lacunas no canal, velocidade termica das lacunas no canal, e resistencias terminais da fonte e do dreno. Os transistores foram fabricados por meio da tecnica planar em substratos de siliciocom orientacoes

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