User Settings
Article

高效94GHz0.15μm InGaAs／InAlAs／InP单片功率HEMT放大器

Lai,林晓雷-1997-01-01-Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
0

TL;DRAbstract

介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴ ＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。当电源偏置成更高的输出功率时，在９４ＧＨｚ处可得到功率附加效率为２０％的５４ｍＷ的输出功率。

Chat with Paper

AI Agents for this Paper

介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴ ＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。当电源偏置成更高的输出功率时，在９４ＧＨｚ处可得到功率附加效率为２０％的５４ｍＷ的输出功率。

Keywords

OptoelectronicsHigh-electron-mobility transistorMaterials scienceGallium arsenideElectrical engineeringEngineeringTransistorVoltage

Chat

Click to start Chat