Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

TL;DRAbstract

Sao feitos estudos de simulacao de lasers semicondutores visando a obtencao do valor corrente limiar em funcao das dimensoes do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm. Os tipos de estruturas estudadas sao a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e apos a obtencao da expressao para o ganho optico no caso do poco-quântico, sao estudadas as caracteristicas de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poco-quântico Abstract

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