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高响应度Al0.1Ga0.9N薄膜紫外探测器研究

王兰喜,陈学康,Wang Rui,曹生珠-2009-01-01-Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni
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TL;DRAbstract

在有机金属化学气相沉积的Al0.1Ga0.9N薄膜上设计并制作了光导型的紫外探测器。测试表明在波长为345nm光照下器件具有峰值响应度1050A／W，说明Al0.1Ga0.9N薄膜的禁带宽度被调至3．6eV，与计算结果吻合。在时间响应测试中，器件表现出持续光电导（PPC）现象，这使得器件的响应时间延长，然而，器件中可能存在的陷阱效应能够降低载流子复合几率，延长载流子寿命，从而导致了器件的高响应度，这将有利于器件在静态目标的高灵敏度探测领域的应用。

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在有机金属化学气相沉积的Al0.1Ga0.9N薄膜上设计并制作了光导型的紫外探测器。测试表明在波长为345nm光照下器件具有峰值响应度1050A／W，说明Al0.1Ga0.9N薄膜的禁带宽度被调至3．6eV，与计算结果吻合。在时间响应测试中，器件表现出持续光电导（PPC）现象，这使得器件的响应时间延长，然而，器件中可能存在的陷阱效应能够降低载流子复合几率，延长载流子寿命，从而导致了器件的高响应度，这将有利于器件在静态目标的高灵敏度探测领域的应用。

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