ZnO－MoO3添加（Zr0．8Sn0．2）TiO4微波陶瓷的介电性能
TL;DRAbstract
微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求，作者在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主相系统中，单一添加ZnO或复合添加ZnO-MoO，考察了不同含量的上述改性添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响，主相合成条件为1100℃下3h；粉碎、成型后样品在1240℃～1400℃下3h烧成，在1GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和Qf值，并在1M下测量了频率温度系数τf，采用SEM对样品进行形貌观察及能谱分析，并进行了XRD表征、研究结果表明，单独添加少量的ZnO(1％)可以降低烧结温度，但Qf值较低，与复合添加样品的显微结构相比晶粒不均匀、复合添加MoO3(0．25％)和ZnO(1％)的(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷Qf值由49.430GHz提高到61 210GHz，同时介电常数eτ和谐振频率温度系数τf基本保持不变。
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微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求，作者在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主相系统中，单一添加ZnO或复合添加ZnO-MoO，考察了不同含量的上述改性添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响，主相合成条件为1100℃下3h；粉碎、成型后样品在1240℃～1400℃下3h烧成，在1GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和Qf值，并在1M下测量了频率温度系数τf，采用SEM对样品进行形貌观察及能谱分析，并进行了XRD表征、研究结果表明，单独添加少量的ZnO(1％)可以降低烧结温度，但Qf值较低，与复合添加样品的显微结构相比晶粒不均匀、复合添加MoO3(0．25％)和ZnO(1％)的(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷Qf值由49.430GHz提高到61 210GHz，同时介电常数eτ和谐振频率温度系数τf基本保持不变。
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