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Dissertation

Etude et intégration de matériaux avancés pour la passivation face arrière de cellules photovoltaïques minces

L. Bounaas-2014-06-30
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TL;DRAbstract

L'objectif d'amelioration des performances de cellules solaires sur des substrats de silicium cristallin de plus en plus en minces (< 200 µm) est indispensable a la reduction des couts du module et donc a l'essor du photovoltaique a l'echelle mondiale. Cette these se propose de repondre a la problematique d'amincissement des plaquettes sur substrats monocristallins (Cz) de type p de grande surface (239 cm2 - 180 µm) par le developpement d'une structure en face arriere capable de generer un rendement de conversion eleve tout en limitant le degre de complexite du procede de fabrication de la cellule. La solution exploree est celle des cellules a face arriere passivee et contacts localises et les schemas de passivation etudies s'appuient sur l'utilisation d'empilements dielectriques a base d'oxydes de silicium (SiO2) et d'aluminium (Al2O3) couples au nitrure de silicium (SiNx). Ces travaux ont pour objectif d'optimiser les proprietes de passivation des couches dielectriques tout autant qu

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L'objectif d'amelioration des performances de cellules solaires sur des substrats de silicium cristallin de plus en plus en minces (< 200 µm) est indispensable a la reduction des couts du module et donc a l'essor du photovoltaique a l'echelle mondiale. Cette these se propose de repondre a la problematique d'amincissement des plaquettes sur substrats monocristallins (Cz) de type p de grande surface (239 cm2 - 180 µm) par le developpement d'une structure en face arriere capable de generer un rendement de conversion eleve tout en limitant le degre de complexite du procede de fabrication de la cellule. La solution exploree est celle des cellules a face arriere passivee et contacts localises et les schemas de passivation etudies s'appuient sur l'utilisation d'empilements dielectriques a base d'oxydes de silicium (SiO2) et d'aluminium (Al2O3) couples au nitrure de silicium (SiNx). Ces travaux ont pour objectif d'optimiser les proprietes de passivation des couches dielectriques tout autant qu

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