Etude de la formation du siliciure de titane par réaction directe : Influence et redistribution des dopants
TL;DRAbstract
La premiere partie de ce travail fait le point sur les methodes d'elaboration ainsi que sur les proprietes comparatives des siliciures de metaux refractaires. Il en ressort que le siliciure de titane est un materiau de grande utilite pour la microelectronique silicium. Les techniques d'analyse mises en œuvre sont decrites (SIMS, RBS, RX, TEM) et s'averent bien complementaires. L'accent est mis sur l'analyse par SIMS qui fait l'objet d'un developpement specifique a cette etude. La formation du siliciure de titane par reaction directe est etudiee pour differents fours et differentes conditions (encapsulation ou oxydation partielle); les temperatures de formation sont compatibles avec les contraintes d'une technologie de type salicide, et la couche formee evolue rapidement vers la composition TiSi2. Enfin, le role des dopants presents dans le silicium ainsi que la redistribution spatiale pendant, et apres, la formation du siliciure sont etudies.
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La premiere partie de ce travail fait le point sur les methodes d'elaboration ainsi que sur les proprietes comparatives des siliciures de metaux refractaires. Il en ressort que le siliciure de titane est un materiau de grande utilite pour la microelectronique silicium. Les techniques d'analyse mises en œuvre sont decrites (SIMS, RBS, RX, TEM) et s'averent bien complementaires. L'accent est mis sur l'analyse par SIMS qui fait l'objet d'un developpement specifique a cette etude. La formation du siliciure de titane par reaction directe est etudiee pour differents fours et differentes conditions (encapsulation ou oxydation partielle); les temperatures de formation sont compatibles avec les contraintes d'une technologie de type salicide, et la couche formee evolue rapidement vers la composition TiSi2. Enfin, le role des dopants presents dans le silicium ainsi que la redistribution spatiale pendant, et apres, la formation du siliciure sont etudies.
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