Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

doi:https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2001.229035

Open AccessArticle10.47749/t/unicamp.2001.229035

Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Ricardo T. Yoshioka-2001-12-01

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TL;DRAbstract

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart

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Orientador : Jacobus Willibrordus Swart

Keywords

OptoelectronicsMetalorganic vapour phase epitaxyMaterials scienceHeterojunctionBipolar junction transistorMolecular beam epitaxyChemical vapor depositionHeterojunction bipolar transistor

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