Estudo da distribuição da temperatura em encapsulamentos de dispositivos MOSFET utilizando simulação por métodos de elementos finitos

TL;DRAbstract

O transistor MOSFET teve uma evolucao muito grande desde sua invencao ate os dias de hoje. As dimensoes foram reduzidas, a capacidade de integracao de componentes e frequencia de operacao aumentaram, como consequencia desta evolucao houve um aumento da potencia dissipada pelos circuitos integrados. Neste trabalho foi utilizada simulacao por elementos finitos para estudar o comportamento termico de um encapsulamento ao variar-se sua montagem interna, utilizando um MOSFET de potencia como fonte de calor. A partir destas simulacoes foi possivel identificar os pontos de maior e menor temperatura, bem como as regioes de melhor conducao de calor. Ainda utilizando simulacao por elementos finitos estudou-se o efeito da variacao do tempo de chaveamento nas temperaturas observadas no interior do encapsulamento Abstract

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