Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de In 1-x GaxAsyP1-Y- 1,3 um

TL;DRAbstract

A ideia de se fabricar lasers semicondutores de InGaAsP surgiu em fins de 76 quando o Prof. Navin Patel retornou de uma conferencia nos Estados Unidos, na qual J. Hsieh havia apresentado um trabalho sobre tais lasers. Isso encaixou muito bem nos objetivos do grupo na epoca, que estava se voltando para a fabricacao de lasers semicondutores de GaAlAs aplicaveis em comunicacoes opticas, atraves do projeto Laser-Telebras. Alem de alguns trabalhos publicados em revistas internacionais, este e o principal fruto do trabalho iniciado na epoca. O trabalho, contem duas ideias novas. Primeiro, um laser especial que evita distorcoes e nao-linearidades na curva de intensidade de luz como funcao da corrente foi fabricado e caracterizado. Segundo, uma inovacao nos lasers convencionais foi feita com exito: a introducao de camadas confinantes quaternarias cuja morfologia de superficie e melhor, possibilitando uniformizar as propriedades dos dispositivos de uma determinada pastilha, e aumentar a repeti

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