Microscopie électronique à balayage analytique : simulation par techniques de Monte Carlo de la détection coaxiale des électrons rétrodiffusés
TL;DRAbstract
En microscopie electronique a balayage (meb), le contraste du materiau et le contraste topographique des electrons retrodiffuses depend notablement des angles d'incidence et de collection. Dans une premiere partie nous proposons une geometrie particuliere correspondant a une detection coaxiale des electrons retrodiffuses. Nous montrons que l'avantage principal de cette geometrie est d'augmenter la sensibilite au numero atomique tout en minimisant le contraste topographique. Les caracteristiques du microscope a employer sont etudiees pour definir les conditions d'obtention d'un faible diametre de faisceau. Le systeme experimental presente un ensemble des parametres ajustables (energie primaire, perte d'energie, angle d'incidence et angle de collection) dont les influences conjuguees sont difficiles a prevoir. Pour preciser les conditions experimentales, nous avons choisi de simuler les trajectoires electroniques dans les materiaux d'etude. Nos simulations sont faites en utilisant la met
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En microscopie electronique a balayage (meb), le contraste du materiau et le contraste topographique des electrons retrodiffuses depend notablement des angles d'incidence et de collection. Dans une premiere partie nous proposons une geometrie particuliere correspondant a une detection coaxiale des electrons retrodiffuses. Nous montrons que l'avantage principal de cette geometrie est d'augmenter la sensibilite au numero atomique tout en minimisant le contraste topographique. Les caracteristiques du microscope a employer sont etudiees pour definir les conditions d'obtention d'un faible diametre de faisceau. Le systeme experimental presente un ensemble des parametres ajustables (energie primaire, perte d'energie, angle d'incidence et angle de collection) dont les influences conjuguees sont difficiles a prevoir. Pour preciser les conditions experimentales, nous avons choisi de simuler les trajectoires electroniques dans les materiaux d'etude. Nos simulations sont faites en utilisant la met
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