Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR

TL;DRAbstract

Este trabalho apresenta um metodo simples de passivacao de superficies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de galio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de galio-indio sobre arseneto de galio (InGaP/GaAs), que sao utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor), e transistores bipolares de heterojuncao (HBT), respectivamente. O processo de passivacao visa a maxima reducao da densidade de estados de superficies semicondutoras para niveis menores que 1012 cm-2. A alta densidade de estados na superficie do GaAs provoca corrente de fuga nas regioes ativas dos transistores MESFET e HBT, reduzindo o desempenho destes dispositivos. Alem disso, impossibilita a formacao de dispositivos MISFET sobre os substratos de GaAs, devido a alta densidade de estados na regiao da interface isolante-semicondutor. Para o estudo da passivacao de superficies, filmes de nitreto de si

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