Simulation des caractéristiques courant-tension à base d'une diode Schottky en Phosphure d'indium InP

TL;DRAbstract

Le phosphure d'indium est utilisé dans les applications électroniques à haute fréquence et à haute puissance, de par sa plus grande mobilité électronique comparée à celles des semi-conducteurs plus communs, comme le silicium et l'arséniure de gallium. Il possède un gap direct, ce qui le rend apte à utilisation en optoélectronique, comme par exemple dans la fabrication des diodes laser. Le phosphure d'indium est aussi utilisé comme substrat pour la croissance par épitaxie de composés optoélectroniques à base d'arséniure d'indium-gallium (InGaAs). Dans ce projet on s’intéresse à l’InP comme détecteur, l’étude de ses propriétés électriques est donc très important pour la détermination de ses effets sur les caractéristiques courant-tension. L’analyse des caractéristiques courant-tension (I-V) des diodes Schottky à température ambiante ne donne pas des informations détaillées sur leur processus de conduction ou de la nature de la formation de la barrière à l’interface M/S. La dépendance en

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