Corrosão por plasma de filmes de silicio policristalino e nitreto de silicio para tecnologia MEMS e CMOS

TL;DRAbstract

Este trabalho apresenta os resultados e as discussoes dos mecanismos de corrosao por plasma de filmes de silicio policristalino e nitreto de silicio para aplicacoes em dispositivos MEMS e CMOS. A corrosao foi feita em um reator convencional de corrosao por plasma em modo RIE (Reactive Ion Etching). Para aplicacao em MEMS, corrosoes de silicio policristalino com perfis anisotropicos e seletividade maior que 10 para oxido de silicio foram obtidos. As misturas gasosas utilizadas na corrosao foram: SF6/CF4/CHF3 e SF6/CF4/N2. Processos hibridos, utilizando duas etapas de corrosao em condicoes diferentes, num mesmo processo, foram feitos para possibilitar a obtencao de perfis altamente anisotropicos, com seletividade elevada. Para avaliar melhor a evolucao do perfil de corrosao, foram utilizadas amostras com filmes espessos de silicio policristalino (>3mm). Para aplicacao em eletrodo de transistores CMOS, afinamento de linhas de 5mm para 1mm de largura foram obtidos com perfil anisotropico (

Chat with Paper

AI Agents for this Paper