反应合成Ag（111）/SnO_2（200）复合材料界面结构的DFT研究

TL;DRAbstract

根据HTEM原位观察的Ag/SnO2电接触材料的两相界面结构,建立了Ag（111）/SnO2（200）界面结构模型.原子驰豫位移的计算结果显示,驰豫引起界面原子严重错排,破坏了点阵周期性排列.界面区的O与Ag原子为达到稳定结构而彼此有靠近的趋势,界面的结构驰豫是材料系统降低能量的一种方式.界面附近态密度表明界面对材料的导电性有很大影响,界面O原子的存在引起了材料导电性下降.界面区域电子云和布居分析表明,在Ag/SnO2界面结构中未形成AgxOy化合物,且界面会导致电荷分布不均匀,在整个材料系统内形成微电场,影响电子传输和材料的导电性.计算显示Ag（111）/SnO2（200）界面结合较强,界面结合能约为-3.50J/m^2.

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