Anisotropia óptica em poços quânticos de InGaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs com orientação [113]

TL;DRAbstract

Crescimento de pocos quânticos em substratos com orientacao ao longo de direcoes nao simetricas [11N], N ¹ 1, e as vezes usado na fabricacao de fios quânticos. A anisotropia nas propriedades opticas (refletividade, absorcao, fotoluminescencia, etc) para luz polarizada ao longo e perpendicular ao fio quântico foi proposta como um indicador quantitativo do grau de confinamento lateral nessas estruturas. Aqui nos estudamos a refletividade modulada de pocos quânticos de In0.2Ga0.8As crescidos por MBE em substratos [113] de GaAs. Fortes anisotropias sao encontradas, apesar da ausencia de corrugacao ou da formacao de fios quânticos em nossas amostras. O grau de anisotropia e fortemente dependente da largura dos pocos 2D. Analisando nossos resultados sob o ponto de vista de estudos teoricos ja existentes, concluimos que a formacao de fios quânticos nao e necessaria para a aparicao de anisotropia optica e, como consequencia, essa anisotropia optica nao pode ser usada como um indicador de confi

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