Desenvolvimento de receptor optico integrado em tecnologia HBT

TL;DRAbstract

Esta dissertacao de mestrado descreve o estudo, projeto e implementacao de um receptor optoeletronico integrado (OEIC) utilizando a tecnologia de transistores bipolares de heterojuncao (HBT), fabricados a partir do material semicondutor arseneto de galio. A grande vantagem deste transistor e o seu alto ganho e baixa resistencia de base, o qual possibilita operacoes na faixa de gigahertz. A integracao do estagio de fotodeteccao, feita por um fotodiodo do tipo PIN, com o circuito de amplificacao em um mesmo circuito integrado e possivel, pois o fotodetector e construido com as camadas de base, coletor e subcoletor do transistor HBT. Com isso, as resistencias, capacitâncias e indutâncias parasitas presentes na conexao entre estes dois estagios sao minimizadas. Isto permite aos receptores monoliticos trabalharem em frequencias mais altas em relacao aos receptores hibridos. O circuito fabricado opera com fontes de luz no comprimento de onda de 850 nm e pode ser utilizado em redes locais de

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