Interactions et transport électronique dans le système ErSi2/Si (111) : une étude par microscopie et spectroscopie tunnel à basse température

TL;DRAbstract

Cette these porte sur l'etude de phenomenes relatifs au gaz d'electrons bidimensionnel (GE2D) d~ surface constitue d'une monocouche de siliciure d'erbium (ErSb) epitaxiee sur un substrat semiconducteur de silicium. Il est etabli que le systeme ErSb/Si(lll) constitue un veritable metal 2D. Deux aspects afferents a ce materiau ont ete etudies par microscopie et spectroscopie tunnel (STM, STS) a basse temperature. Tout d'abord des atomes ont ete deposes sur une couche continue de siliciure d'erbium afm d'etudier localement l'interaction entre le GE2D et des impuretes. L'etude spectroscopique par STS de ces adsorbats ainsi que celle d'impuretes intrinseques au siliciure a mis en evidence la presence d'etats lies aux sites de certaines impuretes. Un modele de chimisorption (Grimley-Newns-Anderson) et un modele de type Friedel permettent de rendre compte qualitativement des resultats obtenus experimentalement. Dans le contexte general de la caracterisation des proprietes electroniques de sur

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